MITSUBISHI MOSFET射频模组, 135-175MHz, 8W, 12,5V, H46S

使用于各类电子成品

使用于各类电子成品

使用于各类电子成品

DIP 陶瓷可调电容器, 无铅符合欧盟RoHS规范, 1.5~5pF, 100V, F型(上面调整)

SMD NPN 矽射频电晶体, 12V, 100mA, 200mW, 7GHz, SOT-23

SMD 钽质电容器, 无铅品, 符合RoHS规范, 47uF, 10V, B Case, ±10%

SMD 射频开关二极体, 无铅品, 符合欧盟RoHS规范, 30V, 100mA, SOD-323

SMD 电解电容器, 标准晶片型, 10uF, 16V, 3x5.3, 85°C, ±20%

SMD 积层陶瓷电容器, 通用高容值型, 0805, 10uF, 16V, X5R, ±10%